半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家

产品名称：半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家

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半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家 ? 光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上，为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时较长、 难度较大的工艺之一，耗时占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要对硅片进行上十次 光刻，其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，通过显影后，被曝光的光刻胶将被，电路图形由掩膜版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。 ? 光刻胶是光刻工艺较重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是壁垒高，，难以保存。 光刻过程示意图 ? 光刻胶是光刻工艺较重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是壁垒高，，难以保存。 光刻过程示意图 ? 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来 将其它材料聚合在一起的粘合剂；光刻胶的粘附性、胶膜厚度等性质都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核 心部分，它对光形式的辐射能，是在紫外区光的辐射能会发生反应；曝光时间、光源所发射光线的强度都 和感光剂的性质直接相关。溶剂是光刻胶中容量较大的成分；因为感光剂和添加剂都是固态物质，为了将他们 均匀地涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有的流动性，可以通过旋转方式涂布 在晶圆表面。添加剂可以用以改变光刻胶的某些性质，如可以通过添加染色剂来光刻胶，使其发生反射。 光刻胶的品种多种多样，基于感光树脂的化学结构，按可分为光聚合型、光分解型、光交联型三种。另外，正性和负性光刻胶是光刻胶的两个重要品类，光照后形成可溶物质的为正性胶，形成不可溶物质的为负 性胶。由于性能较优，正性光刻胶应用更广，但由于光刻胶需求量大，负性胶仍有的应用市场。 产品供应： 产品 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 厚胶 Thick Resist SU-8 GM10xx系列 g/h/i-Line 负性 0.1um 0.1-200 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 SU-8 Microchem g/h/i-Line 负性 0.5um 0.5-650 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 ? g/h/i-Line 正性 1um 1—30 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 NR26-25000P g/h/i-Line 负性 ? 20-130 厚度大，相对容易去胶。 电子束光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 SU-8 GM1010 电子束 负性 100nm 0.1-0.2 可用于做高宽比较大的纳米结构。 HSQ 电子束 负性 6nm 30nm~180nm 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 XR-1541-002/004/006 HSQ Fox-15/16 电子束 负性 100nm 350nm~810nm 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 (国产) 电子束 正性 \ \ 高分辨率，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 （） 电子束 正性 \ \ MicroChem，分子量，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 薄胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 S18xx系列 g-Line 正性 0.5um 0.4-3.5 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定。 SPR955系列 i-Line 正性 0.35um 0.7-1.6 高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定。 BCI-3511 i-Line 正性 0.35um 0.5-2 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 NRD6015 248nm 负性 0.2um 0.7-1.3 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 Lift off光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（μm) 适用范围 KXN5735-LO g/h/i-Line 负性 4μm 2.2-5.2 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 LOL2000/3000 g/h/i-Line / NA 130nm-300nm 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 ROL-7133 g/h/i-Line / 4um 2.8-4 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 光刻胶配套试剂 品名 主要成分 包装 应用 / / 正胶显影液 TMAH 2.38% 4LR/PC 正胶显影液 / / 正胶稀释剂 PGMEA 4LR/PC 稀释剂 / / SU8 显影液 PGMEA 4L/PC 显影SU8光刻胶 / / RD-HMDS HMDS 500ml/PC 增粘剂 / / OMNICOAT 见MSDS 500ml/PC SU-8增粘剂 / / 上述产品可定制，齐岳生物均可供应！ wyf 01.25 相关目录： 常用光交联型光刻胶/光聚合型/光分解型 适用范围较广的正性/负性电子束光刻胶

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主营产品：COF、MOF单体系列：三蝶烯衍生物、金刚烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上转换、石墨烯、光电材料、点击化学、凝集素、载玻片、蛋白质交联剂、脂质体、蛋白、多肽、氨基酸、糖化学等。