PIPS半导体探测
产品名称：PIPS半导体探测
产品描述：
产品名称：PIPS半导体探测
PIPS(Passivated Implanted Planar Silicon)离子注入型钝化硅探测器是现代半导体技术的产物，使用离子注入装置，对离子进行加速，经过筛选和聚焦以及再加速，射入硅片内部，整个过程都在真空状态下进行。通过调节离子束的强度和能量可以控制掺杂离子在硅片中停留的深度和浓度，并且能控制掺杂离子的形状。
相比传统硅表面势垒(SSB)探测器和扩散结(DJ)探测器，PIPS探测器具有以下优点：
1，接触面是用离子注入法形成的，具有良好的α粒子分辨能力。
2，入射窗稳定且坚固，不易被划伤损坏。
3，漏电流通常只有面垒型和结型探测器的1/10-1/100。
4，死层厚度比同类的面垒型和结构探测器都要小。
我司可提供为α/β粒子探测的深层离子注入型PIPS半导体探测器，外加10V偏压下耗尽层深度可达100微米以上，足以沉积绝大多数α/β衰变的放射性核素的能量，所有探测器均能适应正常(E)和真空(V)环境。另外探头入射窗都有铝制保护膜，以适应不同的环境光照场合。接口方面，探头均使用Microdot接口(工业标准)，可选BNC和SMA接口。产品规格包括400，600，900，1200和2000平方毫米，主要应用于测氡仪和子体气溶胶探测。
| 型号 | 灵敏区域/mm2 | 外壳/mm | 高/mm | 窗/mm | 对α粒子 FWHM/keV |
| EPIAS 400 V/E | 400 | 34 | 13.5 | 23 | <18/38 |
| EPIAS 600 V/E | 600 | 41 | 13 | 28 | <22/42 |
| EPIAS 900 V/E | 900 | 48 | 13 | 34 | <27/45 |
| EPIAS 1200 V/E | 1200 | 55 | 13 | 39 | <35/55 |
| EPIAS 2000 V/E | 2000 | 67 | 13 | 50 | <40/75 |
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主营产品：COF、MOF单体系列：三蝶烯衍生物、金刚烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上转换、石墨烯、光电材料、点击化学、凝集素、载玻片、蛋白质交联剂、脂质体、蛋白、多肽、氨基酸、糖化学等。
