Si/SiO2衬底CVD-WSe2单层薄膜/多层薄膜

产品名称：Si/SiO2衬底CVD-WSe2单层薄膜/多层薄膜

产品描述：

Si/SiO2衬底CVD-WSe2单层薄膜/多层薄膜齐岳生物 西安齐岳生物科技有限公司供应氮化硼粉末、单层、少层氮化硼，异质结，六方氮化硼纳米片、原子掺杂六方氮化硼、以及功能化修饰氮化硼复合材料。供应基底氮化硼BN（石英、PET、蓝宝石、铜、氧化硅片、Si、Si/SiO2基底、玻璃基底等）,MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结、MX2/MX2/hBN/石墨烯异质结、MX2/hBN异质结. 实验发现生长WSe2二硒化钨连续大面积薄膜除了使用蓝宝石衬底以外，还可以通过调控和优化实验条件在二氧化硅衬底上生长出厘米量级的单层和双层WSe2连续大面积薄膜。CVD生长WSe2大膜的生长条件与制备大尺寸单层WSe2薄膜的工艺参数基本一样，不同的是(1)硒丸的加热温度设置为420℃，(2)先将氧化钨在970℃下保温20min后再通入7sccm的氢气。因为氧化钨的熔点高，不利于蒸发，在970℃下保温20min使刚玉舟内有足够多的WOx蒸汽，再通入大量的氢气硒源的还原性，可以使硒与氧化钨迅速反应生成二硒化钨薄膜。 我们在此条件下，调控生长时间从5min到25min，步长为5min。如图3-22(a)所示，当生长时间为5min时，基片上出现大量的二硒化钨单晶。通过观察低倍光学照片发现许多二硒化钨拼接在一起，并在晶界处有双层二硒化钨生长；观察高倍光学照片和荧光照片发现二硒化钨单晶不是一个干净的正三角形，在边缘出现许多“毛刺"和表面出现许多小点，尺寸在200μm左右。这是因为大量的氢气引入，在加快二硒化钨生长的过程中，还因为氢气的腐蚀使二硒化钨边缘出现了一些缺陷加速WSe2横向生长。如图3-22(b)所示，当生长时间为10min时，可以看到大面积连续的二硒化钨薄膜，尺寸为1cm×1cm。通过高倍光学照片和对应的荧光照片发现薄膜质量比较均匀，单晶尺寸为150μm左右，但在晶界处有少量的多层二硒化钨生长。如图3-22(c)、(h)和(m)所示，反应时间为15min时，在单层WSe2薄膜表面可以观察到大量的形核点，开始生长二层二硒化钨。这是因为生长时间增加，氢气腐蚀薄膜表面，引入大量缺陷，由晶体学可知，晶体在缺陷处容易形核长大。 如图3-22(d)和(e)所示，继续增加生长时间，双层二硒化钨的覆盖率增加，其中生长时间为25min时，双层二硒化钨基本形成连续大膜，只有少量的空隙没有生长。研究生长过程发现此方法生长的双层连续大膜的生长方式为生长完一层后再生长二层，而不是由双层二硒化钨单晶拼接形成。 WSe2连续大面积薄膜的AFM表征 为了的判断二硒化钨薄膜的层数，我们对生长时间为10min与25min时的样品进行AFM表征。图3-24(a)为单层二硒化钨大膜的原子力照片，将薄膜用镊子轻轻刮一条痕迹暴露出WSe2薄膜下面的SiO2/Si衬底。从AFM照片中可以观察到在衬底和薄膜表面上有许多亮点，这是因为基片长时间暴露在空气中，在SiO2衬底和薄膜表面吸附大量的杂质。图3-24(b)测量出二硒化钨薄膜与SiO2衬底的台阶高度为0。76nm，与文献中报道的单层WSe2厚度基本一致[44]。图3-24(c)为双层WSe2的原子力照片，表面比较平整干净，质量较好。测得二硒化钨与SiO2衬底的台阶高度为1。66nm，与文献中报道的双层WSe2厚度基本一致[44]。证明了在生长时间为10min与25min时的样品确实为单层与双层WSe2大膜。 其中在SiO2/Si衬底生长出单层和双层二硒化钨大膜。并通过拉曼、光致发光谱、AFM和XPS对单层和双层WSe2大膜进行表征。测得单层WSe2大膜的PL峰值为1。59eV，厚度为0。76nm；双层WSe2大膜的PL峰值为1。55eV，厚度为1。66nm。并对双层WSe2薄膜进行XPS表征，W4f7/2和W4f5/2两个特征峰，其峰位分别位于32。82eV和41。16eV，Se2d5/2和Se2d3/2两个特征峰峰位分别为55。17eV和57。68eV。 薄膜状金属氧化物产品列表： 氧化钴CoO薄膜 二氧化锰MnO2薄膜 氧化镍NI2O3薄膜 氧化钽TaO薄膜 氧化铋（BI2O3）薄膜 五氧化二钽Ta2O5薄膜 氧化锶SrO薄膜 氧化铌NbO薄膜 氧化钡BaO薄膜 氧化铪HfO2薄膜 氧化铼ReO薄膜 氧化锇OsO薄膜 氧化铱IrO2薄膜 氧化钋Po薄膜 氧化镭RaO薄膜 氧化镆McO薄膜 氧化鉨NhO薄膜 氧化镧LaO薄膜 氧化铈CeO薄膜 氧化镨PrO薄膜 氧化钕NdO薄膜 氧化钐SmO薄膜 氧化铕EuO薄膜 氧化钆GdO薄膜 氧化铽TbO薄膜 氧化镝DyO薄膜 氧化钬HoO薄膜 氧化铒ErO薄膜 氧化铥TmO薄膜 氧化镱YbO薄膜 氧化镥LuO薄膜 氧化锕AcO薄膜 氧化钍ThO薄膜 氧化镤PaO薄膜 氧化铀UO薄膜 氧化镎NpO薄膜 氧化钚PuO薄膜 氧化镅AmO薄膜 氧化锔CmO薄膜 氧化锫BkO薄膜 氧化锎薄膜 氧化锗GeO薄膜 氧化铬CrO薄膜 氧化铑RhO薄膜 氧化钌RuO薄膜 CVD-少层氮化硼BN薄膜 CVD-多层氮化硼BN薄膜 CVD-单层氮化硼BN薄膜 CVD-三维氮化硼 硅基单层氮化硼BN薄膜 CVD-多层氮化硼BN薄膜 硅基氮化硼/石墨烯异质结 基于硅基的CVD石墨烯与CVD氮化硼异质结构（11cm，4片装） 基于硅基的CVD石墨烯与CVD氮化硼异质结构（11cm，8片装） 基于285nm二氧化硅基底的单层氮化硼薄膜（1*1cm，4片装） 基于铜基的单层氮化硼薄膜（5*2.5cm） 二硫化钼/二硫化钨/氮化硼/石墨烯薄膜 CVD-三维镍基氮化硼BN泡沫 CVD-三维氮化硼BN泡沫 CVD-三维氮化硼BN泡沫 泡沫铜三维六方氮化硼薄膜(5*10cm) 泡沫铜三维六方氮化硼薄膜（10*10cm） 单层氮化硼溶液Monolayer h-BN Solution 氮化硼薄片粉末h-BN Flakes Powder h-BN?氮化硼晶体?(Hexagonal Boron Nitride 基于铜基的单层氮化硼薄膜（5*2.5cm） 基于铜基的多层氮化硼薄膜（5*2.5cm） 六方氮化硼晶体（20片装） 铜基单层氮化硼薄膜 SiO2/Si衬底单层氮化硼薄膜 一步转移法单层氮化硼薄膜 CVD六方氮化硼薄膜（基底可选） 单层、双层、多层等需求定制；尺寸：1*1cm CVD六方氮化硼薄膜 基底：石英基底/PET基底/蓝宝石基底/Sio2/Si 石英基底六方氮化硼薄膜 单层、双层、多层六方氮化硼薄膜 PET基底六方氮化硼薄膜 蓝宝石基底六方氮化硼薄膜 Sio2/Si基底六方氮化硼薄膜 285nm二氧化硅基底的单层氮化硼薄膜Sio2-hBN 基于铜基的单层氮化硼薄膜 厂家：西安齐岳生物科技有限公司 以上资料来自小编axc,2022.03.07 以上文中提到的产品用于科研，不能用于人体 相关目录： 绿色二氧化硅荧光球 10UM （疏水） 血小板细胞膜包裹金属-有机骨架(MOF)纳

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