有机-无机杂化二氧化硅材料的形貌控制SiO2

产品名称：有机-无机杂化二氧化硅材料的形貌控制SiO2

产品描述：

有机-无机杂化二氧化硅材料的形貌控制SiO2? 目前已经可控地合成出了多种形貌的介孔有机-无机杂化二氧化硅材料，包括蛋糕状、花状、膜、球形等。不同的用途，对于材料的形貌要求也不同，比如传感器中的需要膜形貌，而色谱分离、光子晶体方面的材料要求有规整的球形形貌，是液相色谱填料要求直径不小于 3u m;而为了使色谱柱具有较高的柱效，要求颗粒的直径要小于10um。由此可见，控制材料的形貌对其实际应用是至关重要的。在可控形貌中，球形颗粒因其更的应用前景，引起了人们的研究兴趣。? 在介孔材料的合成过程中，影响材料宏观形貌的因素主要包括两个方面:一方面是胶束的形成，另一方面是硅源的水解-缩聚反应速率。胶束的形成包括胶束的形状与尺寸，它主要与实验过程中所添加的模板剂的量有关，而硅源的水解-缩聚反应速率与实验的合成条件有关，如体系的酸碱度、温度、水的含量等等。因此，通过选择合适的模板以及改变合成条件可以调控材料的宏观形貌，得到形态规则的介孔材料。模板剂的浓度? 图1为模板剂水溶液的胶束化过程。当模板剂在水中的浓度时，此时水和空气近乎直接接触，水的表面张力下降并不多，接近于纯水状态。稍微增加模板剂的浓度,此时模板剂会在水表面聚集,从而减小了空气和水的接触面，进而导致表面张力的骤降。同时，水中的模板剂也相互地聚集起来，把憎水基团靠在一起，开始形成小的胶束。进一步增大模板剂的浓度，此时模板剂会在水表面形成排列紧密的单分子膜。此时，模板剂在水中的浓度模板剂的CMC，溶液的表面张力降到低值。当溶液的浓度过CMC时，此时胶束的数目和聚集数逐渐增加，而溶液的表面张力几乎不再变化。? 以正硅酸乙酯为硅源前驱体，以三嵌段共聚物聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷(P123)为模板剂，以CTAB为助模板剂，在酸性条件下合成介孔氧化硅材料。结果表明，介孔二氧化硅材料随模板剂添加量的增加展现出不同的形貌，由纤维状逐渐向球形转变，当添加量增加到0.6g 时，得到表面光滑的圆球。Han等l40!以十六烷基*基溴化铵(CTAB)和十二醇(CH2-OH)为双模板剂，以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体，实验固定CTAB和TEOS的量，改变CH2-OH浓度，在碱性条件采用一步溶胶-凝胶法合成出一系列不同形貌的介孔二氧化硅材料。实验结果表明，当CH2-OH/CTAB的摩尔比例从0增加到50,所合成介孔二氧化硅的形貌从球形变化为壳形、橄榄球形、花生形、空心球形。?图1模板剂溶液的胶团化过程酸碱度? 影响介孔材料的结构和形貌的另一个重要因素是酸碱度，它主要是通过影响硅源的水解缩聚反应速率来实现对材料形貌的调控4。酸性有利于水解，碱性有利于缩聚。因此，碱性条件下更易于形成大颗粒的材料。以TEOS为硅源，以P123为模板剂，在酸性条件下合成了有序介孔分子筛SBA-15。实验讨论了盐酸(HCI)用量对SBA-15形貌的影响。结果显示，盐酸的添加可以改变棒状颗粒的长短，随着添加量的继续增加，得到类球状形貌。以TEOS为硅源，以十六烷基氯化毗啶为模板剂，以甲酰胺为共溶剂合成介孔二氧化硅，讨论了酸度对二氧化硅形貌的影响。实验结果表明，HCl用量从10ml增加到40ml，氧化硅的形貌从螺旋球到中心带孔的螺旋锥体，然后变为蠕虫状。温度? 从加入硅源到进行水热处理的这一段中间过程，通常被称为陈化过程，陈化过程对介孔二氧化硅材料形貌的形成有很大的影响。研究者常常通过改变实验的合成温度来制备具有不同形貌的介孔氧化硅材料。水的含量? 硅源的水解速率受水的影响很大，水量稍微的增加，硅源的水解速率会增加。二氧化硅颗粒形成过程是硅源水解、成核和长大三者相互竞争的过程，其中，硅源水解是重要的过程，因此，体系中的水含量对于颗粒形貌至关重要。西安齐岳生物科技有限公司提供多孔材料、石墨烯、钙钛矿、量子点、纳米颗粒、空穴传输材料、纳米晶、化学试剂、光电化学品、有机光电和半导体材料、材料中间体、酶制剂、酶底物等一系列产品。齐岳供应相关定制产品：壳聚糖修饰二氧化硅纳米粒子厚度可控的纳米二氧化硅修饰毛细管柱疏水性半导体量子点的二氧化硅修饰介孔SiO2修饰多壁碳纳米管SiO2修饰的阿霉素壳聚糖硬脂酸纳米粒纳米二氧化硅修饰蒙脱土粒子SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极POSS修饰二氧化硅核壳型色谱固定相金纳米颗粒修饰二氧化硅纳米片热炭化的氧化铝和纳米二氧化硅双重修饰多孔炭纳米二氧化硅修饰的氧化石墨烯/环氧树脂复合材料树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡二氧化硅修饰的多球腔碳材料二氧化硅修饰层状硅酸盐粉体二氧化硅修饰疏水性半导体量子点聚亚甲基蓝/纳米二氧化硅复合膜修饰电极(PMB-nano-SiO2/GCE)掺杂12硅钼酸的二氧化硅薄膜修饰纳米二氧化硅和二氧化钛复合薄膜(TiO2/SiO2)碳氟基团修饰的疏水微孔二氧化硅膜乙烯基修饰的微孔二氧化硅膜孔zl 03.05 相关目录： CsPbX3钙钛矿量子点单光子发射的特点（ 荧光CY3，CY5，罗丹明，FITC标记紫藤凝

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