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2024-03

氧化铟薄膜(In2O3)

【基本信息】中文名称:氧化铟薄膜英文名称:In2O3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氧化铟(Indium Oxide,In2O3)薄膜是由铟和氧元素组成的化合物,常用于透明导电薄膜

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2024-03

八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉锰薄膜英文名称:Mnq2纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉锰薄膜(Mnq2)是一种有机金属配合物,由锰(Mn)和八羟基喹啉(Quinolat

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八羟基喹啉铁薄膜(Feq3)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铁薄膜英文名称:Feq3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铁薄膜,通常用缩写Feq3表示,是一种有机金属配合物,包含铁(Fe)和八羟基喹啉配

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Co掺杂Alq3薄膜

【基本信息】中文名称:Co掺杂Alq3薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Co(钴)掺杂八羟基喹啉铝薄膜(Co掺杂Alq3薄膜)是在八羟基喹啉铝(Alq3)薄膜中引入钴元素的一种薄

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八羟基喹啉铝薄膜(Alq3)

【基本信息】中文名称:八羟基喹啉铝薄膜英文名称:Alq3纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】八羟基喹啉铝薄膜,通常用缩写Alq3表示,是一种有机半导体材料,主要由铝(Al)和八羟基喹啉

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CsPbBr3钙钛矿薄膜

【基本信息】产品名称:CsPbBr3钙钛矿薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CsPbBr3是一种铅卤钙钛矿材料,其中包含铯(Cs)、铅(Pb)、溴(Br)等元素。CsPbBr3

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BiLaTiO薄膜(BLT)

【基本信息】中文名称:BiLaTiO薄膜英文名称:BLT纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】BiLaTiO (BLT) 薄膜是一种铋(Bi)、镧(La)、钛(Ti)和氧(O)元素组成的

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Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜

【基本信息】产品名称:Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TiO2本身是一种半导体材料,钴的掺杂可能调制薄膜的电子结构,影响其半导体性质。这对于电子器

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Zn0.95Co0.05O稀磁半导体薄膜

【基本信息】产品名称:Zn0.95Co0.05O稀磁半导体薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】钴的掺杂可能引入磁性,使得Zn0.95Co0.05O薄膜具有稀磁性质。这使其在磁性传感

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2024-03

Mn掺杂CuO薄膜

【基本信息】中文名称:Mn掺杂CuO薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Mn掺杂可能影响CuO薄膜的电学性质,包括电导率、电容等。这对于电子器件、电容器等应用产生影响。【知识解答】

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