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2024-03

TbDyFe磁致伸缩薄膜

【基本信息】中文名称:TbDyFe磁致伸缩薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TbDyFe是一种永磁材料,通常用于制备磁致伸缩薄膜。这种类型的薄膜在磁场的作用下可以发生磁致伸缩效应

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2024-03

钐钴薄膜(SmCo)

【基本信息】中文名称:钐钴薄膜英文名称:SmCo纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】SmCo(钐钴)薄膜是由钐(Sm)和钴(Co)元素组成的永磁合金的薄层。这种薄膜通常被用于制造微型磁

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CIGS薄膜

【基本信息】中文名称:CIGS薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】CIGS 薄膜是由铜(Copper)、铟(Indium)、镉(Gallium)、硒(Selenium)元素组成的化

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多晶硅锗薄膜(SiGe)

【基本信息】中文名称:多晶硅锗薄膜英文名称:SiGe纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】多晶硅锗薄膜(SiGe)是由硅(Si)和锗(Ge)元素组成的合金薄膜。SiGe合金具有电学和光学

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锗单层膜(Ge)

【基本信息】中文名称:锗单层膜英文名称:Ge纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】单层膜指的是具有单一原子层厚度的材料薄膜。在材料科学中,石墨烯(Graphene)是单层膜之一,由碳原子

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GeC薄膜

【基本信息】中文名称:GeC薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】碳化锗薄膜应用于半导体器件中,作为导电材料或在纳米电子器件中的一部分。碳化锗薄膜的光学性质使其在一些光学涂层中有应用

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TiNi薄膜

【基本信息】中文名称:TiNi薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】TiNi合金是由钛(Ti)和镍(Ni)元素组成的一种记忆合金,通常被称为钛镍记忆合金。 TiNi合金具有超弹性,能

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铂薄膜(Pt)

【基本信息】中文名称:铂薄膜英文名称:Pt纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】铂是一种催化剂,Pt薄膜在电化学和化学反应中用于催化剂的制备,例如燃料电池、电解水产氢等。【知识解答】晶膜

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Fe掺杂的TiO2薄膜

【基本信息】中文名称:Fe掺杂的TiO2薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】Fe(铁)掺杂的TiO2薄膜是由钛氧化物(TiO2)中引入铁元素(Fe)而形成的一种材料。这种掺杂可以调

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SiNX薄膜

【基本信息】中文名称:SiNX薄膜纯度:99.9%存储:-20℃冷藏、密封、避光保存时间:1年用途:仅用于科研,不能用于人体【详情描述】氮化硅(SiNx)薄膜是由硅(Si)和氮(N)元素组成的化合物薄膜。SiNx薄膜在半导体工业和光学领域中有应用,其

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