砷化铟单晶 (InAs) <100>

产品名称：砷化铟单晶 (InAs) <100>

产品描述：

砷化铟(InAs)  <100>

砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。InAs是一种难于纯化的半导体材料。

非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。

产地 ：西安

纯度：99%

用途：仅用于科研

温馨提示：仅用于科研，不能用于人体实验！

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